Leistungs- und Energieeffizienz

Gewährleisten Sie sichere, präzise und schnelle Si-, SiC- und GaN-MOSFET-Tests in Labor- und Wafer-Test-Umgebungen. Erfahren Sie mehr über die Herausforderungen beim Testen, die bei der Übernahme von SiC und GaN in Ihre Designs entstehen, und darüber, wie diese zu bewältigen sind. Erfahren Sie, wie Sie die Leistungsaufnahme minimieren und die Batterielebensdauer für Ihre Endprodukte maximieren können. Verkürzen Sie die Markteinführungszeit für Ihre Designs.

Charakterisierung der Stromversorgung

Sichere, präzise und schnelle MOSFET-Tests für Si-, SiC- und GaN-Bausteine
Große Leistungshüllkurve
Richten Sie Ihre Prüfung sicher ein
Profitieren Sie von einer zweimal schnelleren Bauteilcharakterisierung für schnellere Markteinführungszeiten
Vermeiden Sie kostenintensive Überdimensionierungen Ihrer Wide Bandgap Hableiter

Automatisierter parametrischer Test

Vollautomatische Hochspannungstests auf Wafer-Ebene
Wechseln Sie von Hochspannung zu Niederspannung, ohne das Setup verändern zu müssen
Kapazitätsmessung ohne manuelle Neukonfiguration, schnelle Automatisierung

SiC- und GaN-Leistungsumwandlung

Bewältigung hoher Gleichtaktspannungen
Gleichzeitige Messung mehrerer Steuerungs- und Timing-Signale
Schnellere automatisierte Leistungsmessungen
Lückenlose Einhaltung von Vorschriften

Maximieren der Akku-Lebensdauer in IoT-Geräten

Bestimmen des Laststromprofils
Simulieren beliebiger Batterien
Modellierung beliebiger Akkuarten

Regelkreisanalyse

Oszilloskop-basierte Anordnung für Reaktionsmessungen
Tastkopfeigenschaften für Regelkreismessungen
Messung der Stabilitätsgrenze mit Bode-Diagrammen
System für Regelkreisanalyse

Stromversorgungsmessung und -analyse

Schaltverlustmessungen und -analysen
Messungen schaltungsinterner Spulen- und Transformatorverluste
Messungen mit GaN- und SiC-Schaltgeräten
Sicherer Arbeitsbereich (SOA)
Versorgungsspannungsdurchgriff
Regelkreisantwort

Analysieren der Energieintegrität in einem PDN

Messen der Hochfrequenzwelligkeit, ohne DC zu blockieren
Bewerkstelligung von Versorgungen von 1 V bis 48 V und höher
Minimieren des vom Messsystem verursachten Rauschens
PDN-Impedanzmessungen
Rauschjagd mit synchronisierten Spektren und Wellenformen
Automatisierte Stromschienenmessungen

Messungen an 3-phasigen Antrieben mit variabler Frequenz

Durchführung stabiler Messungen an PBM-3-Phasen-Motorantrieben
Oszilloskopbasierte Phasordiagramme
Messung des Systemwirkungsgrads
Gleichstrombus-Messungen
Unterstützung für 2V2I-, 3V3I-Stern- und Dreieckskonfiguration sowie Gleichstromeingang/3-Phasen-Ausgang.

Weitere Anwendungen im Bereich der Leistungs- und Energieeffizienz:

Entwicklungen im Bereich der Energieeffizienz

Unsere Ingenieure teilen ihre Ansicht darüber, warum Leistungs- und Energieeffizienz bei der Designentwicklung wichtiger als je zuvor geworden ist.

„In diesem Jahr kam es zu einer großen Wende mit Siliziumkarbid, das in vielen kommerziellen Produkten eingesetzt wurde.“

Pat Hensley, Tektronix