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電力効率

研究室やウエハ・テスト環境でのSi、SiC、GaNのMOSFETのテストを安全、正確、迅速に実行できます。SiC、GaNを設計に採用した結果生ずるテストの課題とその解決方法について学びます。最終製品の電力消費を最小化し、バッテリ寿命を最大化する方法を探ります。設計から市場投入までの時間を加速します。

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パワー・デバイスの特性評価

  • Si、SiC、GaNデバイスのMOSFETの安全、正確、迅速なテスト
  • 広範な電力エンベロープ
  • テストの安全な設定
  • 市場投入までの時間を半分に短縮するデバイスの特性評価
  • ワイド・バンドギャップ・デバイスの高価な過大設計の回避
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自動パラメトリック・テスト

  • 高電圧によるウエハ・レベルの完全自動テスト
  • テスト・セットアップを変更せずに高電圧から低電圧に移行する
  • 手動による再構成を行わずにキャパシタンスを測定する高速自動化
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SiC、GaNの電力変換

  • 高コモン・モード電圧への対応
  • 複数の制御信号とタイミング信号の同時測定
  • 高速自動パワー測定
  • 適合性不合格の回避
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IoTデバイスのバッテリ寿命の最大化

  • 負荷電流プロファイルの評価/解析
  • あらゆる種類のバッテリのシミュレートが可能
  • すべてのタイプのバッテリもモデル化が可能

制御ループ解析

  • オシロスコープベースの応答測定のセットアップ
  • 制御ループ測定に最適なプローブ特性
  • ボード線図による安定度の測定
  • 制御ループ解析システム

電源の測定と解析

  • スイッチング損失の測定と解析
  • インサーキット・インダクタとトランスの測定
  • GaN、SiCのスイッチング・デバイス測定
  • 安全動作領域(SOA)
  • 電源除去比
  • 制御ループ応答

PDNにおけるパワー・インテグリティの解析

  • DCブロックなしで高周波リップルの測定が可能
  • 1~48V以上の電源に対応
  • 計測システムに由来するノイズを最小化
  • PDNインピーダンス測定
  • 同期されたスペクトルと波形によるノイズ発生源の特定
  • 自動パワーレール測定機能

三相可変周波数制御の測定

  • PWM三相モータ・ドライブで安定した測定を実施
  • オシロスコープベースのフェーザ図
  • システム効率の測定
  • DCバス測定
  • 2V2I、3V3I のスター/デルタ構成、DC入力/三相出力をサポート

電力効率の最新動向

当社のエンジニアは、設計を検討する際にかつてないほどに電力効率の重要性が高まっている理由について見解を共有しています。

「今年は、SiC(炭化ケイ素)による多くの民生製品が登場した、大きな変化があった年でした」

Pat Hensley、テクトロニクス

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