Leistungshalbleiter

Wind turbines for high-power producing components and devices

Leistungs- und Energieeffizienz und Zuverlässigkeit

Beschleunigte Entwicklung umweltfreundlicher, sauberer, erneuerbarer und effizienter Hochleistungskomponenten und -geräte.

Wir leben in einer Zeit tiefgreifender Veränderungen, in der das Management begrenzter Energieressourcen immer wichtiger wird. Fortschritte in der Technologie von Halbleitern mit großer Bandlücke (Wide-Bandgap-Halbleiter) wie Siliciumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) ermöglichen die Entwicklung eines sauberen, erneuerbaren und zuverlässigen Energie-Ökosystems, stellen die Ingenieure jedoch auch vor neue Herausforderungen. Tektronix bietet Ingenieuren Messlösungen für die heutigen und zukünftigen Herausforderungen in elektrischen Ökosystemen.

Entdecken Sie Leistungshalbleiterlösungen für SiC und GaN, für Forschung, Entwicklung und Validierung

Wide bandgap semiconductor materials research

Materialforschung zu Halbleitern mit großer Bandlücke

Materialien mit großer Bandlücke (Wide Bandgap, WBG) stehen im Mittelpunkt der Herausforderung, die Leistung von SiC und GaN noch weiter zu verbessern: für schnellere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Leistungsdichte, Betrieb bei höheren Temperaturen, Zuverlässigkeit, Größe und Kosten.

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4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

Charakterisierung von Halbleiterkomponenten mit großer Bandlücke

Um die grundlegenden Eigenschaften und die elektrische Leistung einer SiC- oder GaN-Komponente zu verstehen, werden präzise Spannungs- und Strommessungen benötigt.

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I-V-Charakterisierung

Während der I-V-Charakterisierung wird die Beziehung zwischen Strom und Spannung von elektrischen Geräten gemessen. Dies ist bei der Prüfung und Optimierung von Geräten und bei der Entwicklung von Halbleitern mit großer Bandlücke entscheidend.

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Doppelimpulstest

Doppelpulstests sind die Standardmethode zum Messen der Schaltparameter von MOSFETs und IGBT-Leistungskomponenten. Früher war die Einrichtung eines Doppelpulstests sehr zeitaufwändig, da Funktionsgeneratoren nicht über integrierte Funktionen zum Konfigurieren und Einrichten eines solchen Tests verfügen.

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Validieren von Halbleiterkomponenten mit großer Bandlücke

Beider Entwicklung neuer SiC- und GaN-Komponenten muss sowohl während der Entwicklungs- als auch in der Produktionsphase sehr viel getestet werden, um Prozesse weiter zu verbessern, die Ausbeute zu steigern und Kosten zu senken. Für Tests von WBG-Leistungskomponenten werden eine bessere Auflösung, höhere Leistung und höhere Geschwindigkeiten benötigt als bei traditionellem Silicium.

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Überprüfung von Energieverwaltungs-ICs

Energieverwaltungsgeräte sind die wichtigsten Komponenten für den sicheren und ordnungsgemäßen Betrieb elektronischer Systeme.

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