반도체

SiC 및 GaN과 같은 새로운 반도체 소재를 사용할 때는 개발 중에 고유한 문제가 발생하는 경우가 많습니다.

• DC 반도체 특성화 시에는 포괄적인 I-V, C-V 및 고속 펄스형 측정을 수행해야 합니다.
• 고전력 반도체 장치를 테스트하는 경우 전압 및 전력 레벨을 높이고 스위칭 시간을 단축해야 하며, 피크 전류량은 늘리고 누설 전류량은 줄여야 합니다.
• 반도체 생산 환경에서는 다이 정렬, 웨이퍼 승인 및 안정성 테스트를 위한 자동화와 프로브 스테이션 통합을 수행해야 하며 속도와 처리량을 높여야 합니다.

고속 디지털 인터페이스에서는 PHY 검증 사이클 속도가 빨라야 합니다. 따라서 설계자는 디버깅과 프로토콜 디코딩을 보다 빠르게 수행하고 크로스토크 등의 소스에서 지터와 노이즈를 식별해야 합니다.

여러 전기 검증 테스트로 인한 시간 부족